(資料圖片僅供參考)
中關村在線消息，美光宣布其HBM3 Gen2內存已經(jīng)處于生產階段，具體來說，美光HBM3 Gen2內存具有 1.2 TB/s 的聚合帶寬和最高容量的 8 高堆棧 24GB的容量（為業(yè)界首款），與其他8高HBM3內存相比，容量增加了50%，工藝方面采用了1β (1-beta) 制造工藝制造，每瓦性能提高了2.5倍。
據(jù)相關人士透露，美光的HBM3 Gen2內存目前受到了谷歌、微軟、AWS等云服務廠商的密切關注，以用來加速上述廠商的AI創(chuàng)新，并應用于類似chatGPT等應用上HBM（高帶寬內存）是一款新型的CPU/GPU 內存芯片，其實就是將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。HBM3是去年推出的最新標準，其單芯片接口寬度可達1024bit，有望廣泛應用于AI、圖形、網(wǎng)絡等HPC應用之中。目前，包括SK海力士、三星和美光在內的存儲巨頭正在紛紛加碼HBM。
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